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Thorlabs 硅雪崩光電探測器,光纖耦合型

更新時間:2025-06-16

簡要描述:

Thorlabs 硅雪崩光電探測器,光纖耦合型
特性
波長范圍從400到1000 nm
通過溫度補償在18至28 °C范圍內提供穩定性≤±3%的M因子
M因子從10到100的連續可變增益
使用M12 x 0.5螺紋光纖接頭轉接件(下面有售)實現穩固的光纖耦合
使用8-32 / M4 x 0.7通用螺紋孔從三個方向安裝接桿
包含LDS12B電源

Thorlabs 硅雪崩光電探測器,光纖耦合型

Thorlabs 硅雪崩光電探測器,光纖耦合型Thorlabs 硅雪崩光電探測器,光纖耦合型

特性

  • 波長范圍從400到1000 nm

  • 通過溫度補償在18至28 °C范圍內提供穩定性≤±3%的M因子

  • M因子從10到100的連續可變增益

  • 使用M12 x 0.5螺紋光纖接頭轉接件(下面有售)實現穩固的光纖耦合

  • 使用8-32 / M4 x 0.7通用螺紋孔從三個方向安裝接桿

  • 包含LDS12B電源

Thorlabs提供光敏范圍從400到1000 nm的光纖耦合型硅雪崩光電探測器(APD)。這個帶溫度補償的光電探測器具有可調增益以及從DC到400 MHz的可用帶寬。它還具有M12 x 0.5外螺紋,在使用下面銷售的光纖接頭轉接件時能實現穩固的光纖耦合。由于相比標準PIN探測器具有更高的靈敏度和更低的噪聲,它非常適合光功率水平較低的應用。

一般而言,雪崩光電二極管利用內部增益機制增加靈敏度。在二極管上施加高反向偏壓,以此形成強電場。當一個入射光子產生一對電子-空穴時,電場使電子加速,導致由碰撞電離產生次級電子。這種電子雪崩能產生幾百倍的增益因子,也叫做倍增因子M,它和反向偏壓以及溫度相關的。一般而言,M因子隨溫度降低而增大,隨溫度升高而減小。類似地,M因子將在反向偏置電壓升高時增大,在反向偏置電壓降低時減小。

APD431A光電探測器提供從DC到400 MHz的可用帶寬。它有一個集成的熱敏電阻,可通過調節雪崩光電二極管的偏壓在23 ± 5 °C范圍內維持±3%或更好的M因子穩定性。它還具有可變的增益,通過外殼右側的旋鈕控制,能使M因子從10到100變化。

由于機械和電學連接的方向,加上緊湊的設計,APD431A探測器能安裝在狹窄的空間中。三個通用的8-32 / M4 x 0.7安裝孔進一步確保它能輕松地集成在復雜的機械裝置中。

光纖耦合和機械轉接件
APD431A光電探測器設計為已有的APD430A自由空間雪崩光電探測器提供穩固的光纖耦合功能。它有一個M12 x 0.5外螺紋法蘭,兼容我們的M12 x 0.5螺紋光纖接頭轉接件(下面有售),能快速實現光纖耦合,并具有高可重復性。轉接件適合單模光纖以及200 μm纖芯的多模光纖;但它們也能用于所有光纖,不過耦合效率會有所降低。這些轉接件可用于FC/APC、FC/PC、LC/PC或SC/PC光纖接頭,還有用于350 - 700 nm或600 - 1050 nm的鍍膜。

光纖耦合硅雪崩光電探測器

Thorlabs 硅雪崩光電探測器,光纖耦合型

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